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FP100R12KT4B11BOSA1 y sus componentes
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Descripción
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Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Corriente - colector (Ic) (máximo):
100 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura del chasis
paquete:
Envases
Serie:
EconoPIMTM 3
Envase / estuche:
Módulo
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 100A
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
Las demás:
Paquete de dispositivos del proveedor:
Módulo
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 150 °C
Corriente - límite del colector (máximo):
1 mA
Tipo de IGBT:
Parada en el campo de trincheras
Potencia - máximo:
515 W
Ingreso:
Estándar
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:
6.3 nF @ 25 V
Configuración:
Inversor de tres fases
El termistor NTC:
- ¿ Qué?
Número del producto de base:
FP100R12
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Corriente - colector (Ic) (máximo):
100 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura del chasis
paquete:
Envases
Serie:
EconoPIMTM 3
Envase / estuche:
Módulo
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 100A
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
Las demás:
Paquete de dispositivos del proveedor:
Módulo
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 150 °C
Corriente - límite del colector (máximo):
1 mA
Tipo de IGBT:
Parada en el campo de trincheras
Potencia - máximo:
515 W
Ingreso:
Estándar
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:
6.3 nF @ 25 V
Configuración:
Inversor de tres fases
El termistor NTC:
- ¿ Qué?
Número del producto de base:
FP100R12
Descripción
FP100R12KT4B11BOSA1 y sus componentes
Modulo IGBT Parada de campo de zanja Inverter de tres fases 1200 V 100 A 515 W Modulo de montaje del chasis

Tags:

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