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Descripción: Transmisión por radio NPN 15V 1.5GHz TO92-3

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Especificaciones

Descripción

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Categoría:	Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores de RF bipolares	Corriente - colector (Ic) (máximo):	50 mA
Estado del producto:	No está disponible	Tipo de transistor:	NPN (número de origen)
Tipo de montaje:	A través del agujero	Frecuencia - Transición:	1.5 GHz
paquete:	Cintas y cajas (TB)	Serie:	-
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):	15 V	Paquete de dispositivos del proveedor:	TO-92-3
El Sr.:	en semi	Figura de ruido (dB Tipo @ f):	-
Potencia - máximo:	350mW	Ganancias:	14dB ~ 26dB
Envase / estuche:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formó las ventajas	Temperatura de funcionamiento:	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:	20 @ 8mA, 10V	Número del producto de base:	PN356

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores de RF bipolares
Corriente - colector (Ic) (máximo):	50 mA
Estado del producto:	No está disponible
Tipo de transistor:	NPN (número de origen)
Tipo de montaje:	A través del agujero
Frecuencia - Transición:	1.5 GHz
paquete:	Cintas y cajas (TB)
Serie:	-
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):	15 V
Paquete de dispositivos del proveedor:	TO-92-3
El Sr.:	en semi
Figura de ruido (dB Tipo @ f):	-
Potencia - máximo:	350mW
Ganancias:	14dB ~ 26dB
Envase / estuche:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formó las ventajas
Temperatura de funcionamiento:	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:	20 @ 8mA, 10V
Número del producto de base:	PN356

Descripción

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Transistor de RF NPN 15V 50mA 1.5GHz 350mW a través del agujero TO-92-3

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