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Descripción: Transmisión por radio NPN 15V 1GHz 8SOIC

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Categoría:	Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores de RF bipolares	Corriente - colector (Ic) (máximo):	1.2A
Estado del producto:	Actividad	Tipo de transistor:	NPN (número de origen)
Tipo de montaje:	Montura de la superficie	Frecuencia - Transición:	1 GHz
paquete:	El tubo	Serie:	-
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):	15 V	Paquete de dispositivos del proveedor:	8-SOIC-EP
El Sr.:	En el asunto Analog Devices Inc./Maxim Integrated	Figura de ruido (dB Tipo @ f):	3.3dB @ 836MHz
Potencia - máximo:	6.4W	Ganancias:	11.6dB
Envase / estuche:	Almohadilla expuesta 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho)	Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:	100 @ 250 mA, 3 V	Número del producto de base:	Se trata de un sistema de control de las emisiones.

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores de RF bipolares
Corriente - colector (Ic) (máximo):	1.2A
Estado del producto:	Actividad
Tipo de transistor:	NPN (número de origen)
Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Frecuencia - Transición:	1 GHz
paquete:	El tubo
Serie:	-
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):	15 V
Paquete de dispositivos del proveedor:	8-SOIC-EP
El Sr.:	En el asunto Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Figura de ruido (dB Tipo @ f):	3.3dB @ 836MHz
Potencia - máximo:	6.4W
Ganancias:	11.6dB
Envase / estuche:	Almohadilla expuesta 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:	100 @ 250 mA, 3 V
Número del producto de base:	Se trata de un sistema de control de las emisiones.

Descripción

Se aplicará el procedimiento siguiente:

Transistor de RF NPN 15V 1.2A 1GHz 6.4W Montado en la superficie 8-SOIC-EP

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