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BF771E6765N

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Descripción: Transistores de RF, NPN

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Especificaciones
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores de RF bipolares
Corriente - colector (Ic) (máximo):
80mA
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
NPN (número de origen)
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Frecuencia - Transición:
8GHz
paquete:
En bruto
Serie:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
12 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de una prueba de la seguridad de los vehículos.
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Figura de ruido (dB Tipo @ f):
1dB ~ 1,6dB @ 900MHz ~ 1,8GHz
Potencia - máximo:
580 mW
Ganancias:
15 dB
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
70 @ 30mA, 8V
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores de RF bipolares
Corriente - colector (Ic) (máximo):
80mA
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
NPN (número de origen)
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Frecuencia - Transición:
8GHz
paquete:
En bruto
Serie:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
12 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de una prueba de la seguridad de los vehículos.
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Figura de ruido (dB Tipo @ f):
1dB ~ 1,6dB @ 900MHz ~ 1,8GHz
Potencia - máximo:
580 mW
Ganancias:
15 dB
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
70 @ 30mA, 8V
Descripción
BF771E6765N
Transistor de RF NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Montaje de superficie PG-SOT23-3-4

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