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Descripción: La frecuencia de transmisión por radio será de 2 NPN 10V 8 GHz SOT363

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Especificaciones
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Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores de RF bipolares
Corriente - colector (Ic) (máximo):
35 mA
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de transistor:
2 NPN (duales)
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Frecuencia - Transición:
8GHz
paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
10 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de la SOT-363.
El Sr.:
CEL
Figura de ruido (dB Tipo @ f):
1.9 dB @ 2 GHz
Potencia - máximo:
200mw
Ganancias:
7.5 dB
Envase / estuche:
Se aplicará el procedimiento de evaluación de la compatibilidad con el mercado.
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
80 @ 5mA, 3V
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Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores de RF bipolares
Corriente - colector (Ic) (máximo):
35 mA
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de transistor:
2 NPN (duales)
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Frecuencia - Transición:
8GHz
paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
10 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de la SOT-363.
El Sr.:
CEL
Figura de ruido (dB Tipo @ f):
1.9 dB @ 2 GHz
Potencia - máximo:
200mw
Ganancias:
7.5 dB
Envase / estuche:
Se aplicará el procedimiento de evaluación de la compatibilidad con el mercado.
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
80 @ 5mA, 3V
Descripción
Los datos de los datos de los demás Estados miembros
Transistor de RF 2 NPN (doble) 10V 35mA 8GHz 200mW Montaje de superficie SOT-363

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