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IRG7PH50K10DPBF

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Descripción: Transistores IGBT 1200V UltraFast Discreto IGBT

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Especificaciones

Descripción

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Resaltar:

Corriente de fuga del emisor de la puerta::	nA 100	Categoría de productos::	Transistores IGBT
Estilo de montaje::	A través del agujero	Corriente continua en el colector a 25 ° C::	90 A
Paladio - disipación de poder::	400 W	Voltado del colector-emittor VCEO máximo::	Las demás:
Envase / estuche::	TO-247AC-3	Temperatura máxima de funcionamiento::	+ 150 °C
Voltado máximo del emisor de la puerta::	+/- 30 V	Embalaje::	El tubo
Configuración::	No casado	Voltado de saturación del colector emisor::	2,4 V
Fabricante::	IR / Infineon

Corriente de fuga del emisor de la puerta::	nA 100
Categoría de productos::	Transistores IGBT
Estilo de montaje::	A través del agujero
Corriente continua en el colector a 25 ° C::	90 A
Paladio - disipación de poder::	400 W
Voltado del colector-emittor VCEO máximo::	Las demás:
Envase / estuche::	TO-247AC-3
Temperatura máxima de funcionamiento::	+ 150 °C
Voltado máximo del emisor de la puerta::	+/- 30 V
Embalaje::	El tubo
Configuración::	No casado
Voltado de saturación del colector emisor::	2,4 V
Fabricante::	IR / Infineon

Descripción

IRG7PH50K10DPBF

El IRG7PH50K10DPBF, de IR / Infineon, son transistores IGBT. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!

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