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NGTG15N60S1EG

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Descripción: Transistores IGBT 15A 600V IGBT

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Especificaciones
Resaltar:
Corriente de fuga del emisor de la puerta::
nA 100
Categoría de productos::
Transistores IGBT
Estilo de montaje::
A través del agujero
Corriente continua en el colector a 25 ° C::
30 A
Paladio - disipación de poder::
47 W
Voltado del colector-emittor VCEO máximo::
Las demás:
Envase / estuche::
TO-220
Embalaje::
El tubo
Voltado máximo del emisor de la puerta::
20 V
Voltado de saturación del colector emisor::
1,95 V
Fabricante::
en semi
Corriente de fuga del emisor de la puerta::
nA 100
Categoría de productos::
Transistores IGBT
Estilo de montaje::
A través del agujero
Corriente continua en el colector a 25 ° C::
30 A
Paladio - disipación de poder::
47 W
Voltado del colector-emittor VCEO máximo::
Las demás:
Envase / estuche::
TO-220
Embalaje::
El tubo
Voltado máximo del emisor de la puerta::
20 V
Voltado de saturación del colector emisor::
1,95 V
Fabricante::
en semi
Descripción
NGTG15N60S1EG
El NGTG15N60S1EG, de onsemi, es IGBT Transistors. lo que ofrecemos tienen precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!

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