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IRG4PH40UPBF

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Descripción: Transistores IGBT de 1200 V Ultra Rápido 5-40 kHz

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Especificaciones
Resaltar:
Categoría de productos::
Transistores IGBT
Estilo de montaje::
A través del agujero
Corriente continua en el colector a 25 ° C::
30 A
Paladio - disipación de poder::
160 W
Voltado del colector-emittor VCEO máximo::
1,2 kilovoltios
Envase / estuche::
TO-247-3
Voltado máximo del emisor de la puerta::
+/- 20 V
Embalaje::
El tubo
Configuración::
No casado
Voltado de saturación del colector emisor::
3,5 V
Fabricante::
Tecnologías Infineon
Categoría de productos::
Transistores IGBT
Estilo de montaje::
A través del agujero
Corriente continua en el colector a 25 ° C::
30 A
Paladio - disipación de poder::
160 W
Voltado del colector-emittor VCEO máximo::
1,2 kilovoltios
Envase / estuche::
TO-247-3
Voltado máximo del emisor de la puerta::
+/- 20 V
Embalaje::
El tubo
Configuración::
No casado
Voltado de saturación del colector emisor::
3,5 V
Fabricante::
Tecnologías Infineon
Descripción
IRG4PH40UPBF
El IRG4PH40UPBF, de Infineon Technologies, son transistores IGBT. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!

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